文献
J-GLOBAL ID:201202262385128489
整理番号:12A0924295
半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化
High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa
著者 (5件):
柏野壮志
(東京工大 大学院理工学研究科)
,
平井準
(東京工大 大学院理工学研究科)
,
池田俊介
(東京工大 大学院理工学研究科)
,
藤松基彦
(東京工大 大学院理工学研究科)
,
宮本恭幸
(東京工大 大学院理工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
34(SDM2012 19-42)
ページ:
43-48
発行年:
2012年05月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)