文献
J-GLOBAL ID:201202262577689484
整理番号:12A1066792
有機金属化学気相蒸着によるMgO(110)基板上へのGa2O3薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of Ga2O3 thin films on MgO (110) substrate by metal-organic chemical vapor deposition
著者 (6件):
MI Wei
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
MA Jin
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
ZHU Zhen
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
LUAN Caina
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
LV Yu
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
XIAO Hongdi
(School of Physics, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
354
号:
1
ページ:
93-97
発行年:
2012年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)