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文献
J-GLOBAL ID：201202262586725035
整理番号：12A1287398
外部量子効率が10%を超えるAlGaN深紫外発光ダイオード
AlGaN Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes with External Quantum Efficiency above 10%
SHATALOV Max
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
SUN Wenhong
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
LUNEV Alex
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
HU Xuhong
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
DOBRINSKY Alex
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
BILENKO Yuri
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
YANG Jinwei
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
SHUR Michael
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
,
GASKA Remis
(Sensor Electronic Technol., SC, USA)
,
MOE Craig
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
GARRETT Gregory
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
WRABACK Michael
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 5 号： 8 ページ： 082101.1-082101.3 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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