文献
J-GLOBAL ID:201202262588158430
整理番号:12A1037061
Al2O3高kゲートスタックのフラッシュメモリセルにおける動作条件下の異常VTH/VFBシフトの研究
Investigation of Abnormal VTH/VFB Shifts Under Operating Conditions in Flash Memory Cells With Al2O3 High-κ Gate Stacks
著者 (7件):
TANG Baojun
(Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR)
,
ZHANG Wei Dong
(Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR)
,
ZHANG Jian Fu
(Liverpool John Moores Univ. (JMU), Liverpool, GBR)
,
VAN DEN BOSCH Geert
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
TOLEDANO-LUQUE Maria
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
GOVOREANU Bogdan
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
VAN HOUDT Jan
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
7
ページ:
1870-1877
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)