文献
J-GLOBAL ID:201202262861228829
整理番号:12A0345267
改善した表現能力をもつ構成可能論理回路のための両極性ゲート可変SiNW FET
Ambipolar Gate-Controllable SiNW FETs for Configurable Logic Circuits With Improved Expressive Capability
著者 (3件):
SACCHETTO Davide
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
LEBLEBICI Yusuf
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
,
DE MICHELI Giovanni
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
2
ページ:
143-145
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)