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文献
J-GLOBAL ID：201202263031522135
整理番号：12A1032511
透明導電性酸化膜に対する堆積温度依存のZn位置に対するGaの置換メカニズム
Substitution mechanism of Ga for Zn site depending on deposition temperature for transparent conducting oxides
LEE Deuk-hee
(Electronic Materials Res. Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
,
LEE Deuk-hee
(Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR)
,
KIM Kyoungwon
(Electronic Materials Res. Center, Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 136-791, KOR)
,
KIM Kyoungwon
(Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR)
,
CHUN Yoon Soo
(Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., Seoul 156-756, KOR)
,
KIM Sangsig
(Dep. of Electrical Engineering and Inst. for Nanoscience, Korea Univ., Seoul 136-701, KOR)
,
LEE Sang Yeol
(Dep. of Semiconductor Engineering, Cheongju Univ., Cheongju, Chungbuk 360-764, KOR)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 12 号： 6 ページ： 1586-1590 発行年： 2012年11月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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