文献
J-GLOBAL ID:201202263499552848
整理番号:12A0582071
極端に短いGaN-オン-Si高電子移動度トランジスタにおける電子局限に対する閉じ込め効果依存
Trapping Effects Dependence on Electron Confinement in Ultrashort GaN-on-Si High-Electron-Mobility Transistors
著者 (6件):
MEDJDOUB Farid
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
DUCATTEAU Damien
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
ZEGAOUI Malek
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
GRIMBERT Bertrand
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
ROLLAND Nathalie
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
ROLLAND Paul-Alain
(Inst. Electronic, Microelectronic and Nanotechnology, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
3
ページ:
034103.1-034103.3
発行年:
2012年03月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)