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文献
J-GLOBAL ID：201202263651934174
整理番号：12A1726985
p型リン化インジウム・エピタキシャル膜に対するプラズマ周波数と誘電関数のドーピングと温度依存性
Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
JAYASINGHE R C
(Georgia State Univ., GA, USA)
,
LAO Y F
(Georgia State Univ., GA, USA)
,
PERERA A G U
(Georgia State Univ., GA, USA)
,
HAMMAR M
(Royal Inst. of Technol. (KTH), Kista, SWE)
,
CAO C F
(Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
WU H Z
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 24 号： 43 ページ： 435803,1-8 発行年： 2012年10月31日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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