文献
J-GLOBAL ID:201202263730406990
整理番号:12A1095275
パルス,DC,AC測定によるSi-Ge HBTsにおける自己発熱のキャラクタリゼーション
Characterization of self-heating in Si-Ge HBTs with pulse, DC and AC measurements
著者 (6件):
SAHOO Amit Kumar
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
,
FREGONESE Sebastien
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
,
WEISS Mario
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
,
GRANDCHAMP Brice
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
,
MALBERT Nathalie
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
,
ZIMMER Thomas
(Univ. de Bordeaux, IMS Lab., CNRS - UMR 5218, 33405 Talence, FRA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
76
ページ:
13-18
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)