文献
J-GLOBAL ID:201202263784869243
整理番号:12A0655683
炭素注入/熱酸化による4H-SiC Pinダイオードの特性
Characteristics of a 4H-SiC Pin Diode With Carbon Implantation/Thermal Oxidation
著者 (7件):
NAKAYAMA Koji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
TANAKA Atsushi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
NISHIMURA Masahiko
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
ASANO Katsunori
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
MIYAZAWA Tetsuya
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN)
,
ITO Masahiko
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN)
,
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Yokosuka, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
4
ページ:
895-901
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)