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文献
J-GLOBAL ID：201202263817615854
整理番号：12A1767951
MgOのトンネル障壁におけるCo2MnSiから成るトンネル磁気抵抗電極の深さ選択電子特性と磁性
Depth-selective electronic and magnetic properties of a Co2MnSi tunnel magneto-resistance electrode at a MgO tunnel barrier
KRUMME B.
(Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
,
EBKE D.
(Thin Films and Nanostructures, Dep. of Physics, Univ. of Bielefeld, P.O. Box 100131, D-33501 Bielefeld, DEU)
,
WEIS C.
(Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
,
MAKAROV S. I.
(Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
,
WARLAND A.
(Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
,
HUETTEN A.
(Thin Films and Nanostructures, Dep. of Physics, Univ. of Bielefeld, P.O. Box 100131, D-33501 Bielefeld, DEU)
,
WENDE H.
(Fakultaet fuer Physik and Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universitaet Duisburg-Essen ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 23 ページ： 232403-232403-4 発行年： 2012年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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