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文献
J-GLOBAL ID：201202263840991588
整理番号：12A1650202
CeO2(111)をバッファ層として用いたSi(111)上のZnO膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of ZnO film on Si(1 1 1) with CeO2(1 1 1) as buffer layer
WONG T I
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
,
WONG T I
(ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP)
,
TAN H R
(ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP)
,
SENTOSA D
(ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP)
,
WONG L M
(ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP)
,
WANG S J
(ASTAR (Agency for Sci., Technol. and Res.), Singapore, SGP)
,
FENG Y P
(National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45 号： 41 ページ： 415306,1-7 発行年： 2012年10月17日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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