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文献
J-GLOBAL ID：201202264216900612
整理番号：12A0341043
ゲートファーストIn0.53Ga0.47As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのための熱的に安定な,サブナノメートル等酸化物厚みゲートスタック
Thermally stable, sub-nanometer equivalent oxide thickness gate stack for gate-first In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
EL KAZZI M.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
CZORNOMAZ L.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
ROSSEL C.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
GERL C.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
CAIMI D.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
SIEGWART H.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
FOMPEYRINE J.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
,
MARCHIORI C.
(IBM Research-Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 6 ページ： 063505 発行年： 2012年02月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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