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文献
J-GLOBAL ID：201202264308166648
整理番号：12A0531438
GaN HEMTの物理ベースモデリング
Physics-Based Modeling of GaN HEMTs
VITANOV Stanislav
(Technische Univ. Wien, Vienna, AUT)
,
VITANOV Stanislav
(Infineon Technol., Villach, AUT)
,
PALANKOVSKI Vassil
(Technische Univ. Wien, Vienna, AUT)
,
MAROLDT Stephan
(Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU)
,
QUAY Ruediger
(Fraunhofer Inst. Applied Solid-State Physics, Freiburg, DEU)
,
MURAD Saad
(NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD)
,
MURAD Saad
(Azzuro Semiconductors, Magdeburg, DEU)
,
ROEDLE Thomas
(NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD)
,
SELBERHERR Siegfried
(Technische Univ. Wien, Vienna, AUT)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 3 ページ： 685-693 発行年： 2012年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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