文献
J-GLOBAL ID:201202264426266860
整理番号:12A0583214
分子線エピタクシーによりSi(001)上に成長させた単結晶SrTiO3における歪緩和
Strain relaxation in single crystal SrTiO3 grown on Si (001) by molecular beam epitaxy
著者 (10件):
CHOI Miri
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
,
POSADAS Agham
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
,
DARGIS Rytis
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
,
SHIH Chih-kang
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
,
DEMKOV Alexander A.
(Dep. of Physics, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, USA)
,
TRIYOSO Dina H.
(GLOBALFOUNDRIES, Advanced Module Technol. Dev., Dresden 01109, DEU)
,
DAVID THEODORE N.
(Freescale Semiconductor, Inc., Tempe, Arizona 85284, USA)
,
DUBOURDIEU Catherine
(IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
BRULEY John
(IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
JORDAN-SWEET Jean
(IBM T.J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
6
ページ:
064112-064112-6
発行年:
2012年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)