文献
J-GLOBAL ID:201202264485165945
整理番号:12A0956227
高kゲートスタックの特性に及ぼす中間層の特性の影響
Influence of interlayer properties on the characteristics of high-k gate stacks
著者 (3件):
ENGSTROM O.
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-412 96 Goeteborg, SWE)
,
MITROVIC I.z.
(Univ. of Liverpool, Dep. of Electrical Engineering & Electronics, Brownlow Hill, Liverpool L69 3GJ, GBR)
,
HALL S.
(Univ. of Liverpool, Dep. of Electrical Engineering & Electronics, Brownlow Hill, Liverpool L69 3GJ, GBR)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
75
ページ:
63-68
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)