文献
J-GLOBAL ID:201202264541628252
整理番号:12A0726401
遠赤外イメージセンサ用の完全空乏シリコン・オン・インシュレータCMOS技術を用いた低パワー極低温読出集積回路の開発
Development of Low Power Cryogenic Readout Integrated Circuits Using Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator CMOS Technology for Far-Infrared Image Sensors
著者 (7件):
WADA T.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
,
NAGATA H.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
,
IKEDA H.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
,
ARAI Y.
(High Energy Accelerator Res. Organization, 305-0801, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OHNO M.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 305-8568, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
NAGASE K.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
,
NAGASE K.
(The Graduate Univ. for Advanced Studies, 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Low Temperature Physics
(Journal of Low Temperature Physics)
巻:
167
号:
5-6
ページ:
602-608
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
E0115C
ISSN:
0022-2291
CODEN:
JLTPAC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)