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文献
J-GLOBAL ID:201202264541628252   整理番号:12A0726401

遠赤外イメージセンサ用の完全空乏シリコン・オン・インシュレータCMOS技術を用いた低パワー極低温読出集積回路の開発

Development of Low Power Cryogenic Readout Integrated Circuits Using Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator CMOS Technology for Far-Infrared Image Sensors
著者 (7件):
WADA T.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
NAGATA H.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
IKEDA H.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
ARAI Y.
(High Energy Accelerator Res. Organization, 305-0801, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
OHNO M.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 305-8568, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
NAGASE K.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Inst. of Space and Astronautical Sci., 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)
NAGASE K.
(The Graduate Univ. for Advanced Studies, 252-5210, Sagamihara, Kanagawa, JPN)

資料名:
Journal of Low Temperature Physics  (Journal of Low Temperature Physics)

巻: 167  号: 5-6  ページ: 602-608  発行年: 2012年06月 
JST資料番号: E0115C  ISSN: 0022-2291  CODEN: JLTPAC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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