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文献
J-GLOBAL ID：201202264614130690
整理番号：12A0895215
エレクトロニクス応用のInAlN/GaN系二重チャネル高電子移動度トランジスタの作製と特性評価
Fabrication and characterization of InAlN/GaN-based double-channel high electron mobility transistors for electronic applications
XUE Junshuai
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
ZHANG Jincheng
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
ZHANG Kai
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
ZHAO Yi
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
ZHANG Linxia
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
MA Xiaohua
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
LI Xiaogang
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
MENG Fanna
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
,
HAO Yue
(Key Lab. of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 111 号： 11 ページ： 114513-114513-5 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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