文献
J-GLOBAL ID:201202264663842735
整理番号:12A0256874
GaAs高指数基板上に成長させた自己組織化InAsナノ構造の光学異方性
Optical anisotropy in self-assembled InAs nanostructures grown on GaAs high index substrate
著者 (5件):
BENNOUR M.
(Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
,
SAIDI F.
(Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
,
BOUZAIEENE L.
(Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
,
SFAXI L.
(Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
,
MAAREF H.
(Lab. de Micro-Optoelectronique et Nanostructures, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Monastir, Avenue de ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
2
ページ:
024310
発行年:
2012年01月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)