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文献
J-GLOBAL ID：201202264861325088
整理番号：12A1066804
レーザー反射率計測を利用したプラズマ支援分子線エピタキシーによる液滴のない原子的に滑らかな表面を有するAlNエピ厚層の成長
Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring
JMERIK V.n.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
MIZEROV A.m.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
NECHAEV D.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
ASEEV P.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
SITNIKOVA A.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
TROSHKOV S.i.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
KOP’EV P.s.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
IVANOV S.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., RAS, Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 354 号： 1 ページ： 188-192 発行年： 2012年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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