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J-GLOBAL ID：201202264896977045 整理番号：12A0772958

0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計

Device-Conscious Circuit Designs for 0.5-V High-Speed Nanoscale CMOS LSIs

著者 (5件)：

小田部晃

(日立中研)

伊藤清男

(日立中研)

竹村理一郎

(日立中研)

土屋龍太

(日立中研)

堀口真志

(ルネサスエレクトロニクス)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 112 号： 15(ICD2012 1-18) ページ： 79-84 発行年： 2012年04月16日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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