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文献
J-GLOBAL ID：201202264955119090
整理番号：12A1187675
非対称チャネル幅と非対称ソース/ドレインドーピング濃度を持ったゲートオールアラウンドシリコンナノワイヤ電界効果トランジスタの評価
Characteristics of gate-all-around silicon nanowire field effect transistors with asymmetric channel width and source/drain doping concentration
BAEK Chang-ki
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
,
PARK Sooyoung
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
,
KO Myung-dong
(Dep. of Electrical Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang 790-784, KOR)
,
RIM Taiuk
(Dep. of Electrical Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang 790-784, KOR)
,
CHOI Seongwook
(School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
,
JEONG Yoon-ha
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 3 ページ： 034513-034513-5 発行年： 2012年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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