文献
J-GLOBAL ID:201202264955119090
整理番号:12A1187675
非対称チャネル幅と非対称ソース/ドレインドーピング濃度を持ったゲートオールアラウンドシリコンナノワイヤ電界効果トランジスタの評価
Characteristics of gate-all-around silicon nanowire field effect transistors with asymmetric channel width and source/drain doping concentration
著者 (6件):
BAEK Chang-ki
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
,
PARK Sooyoung
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
,
KO Myung-dong
(Dep. of Electrical Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang 790-784, KOR)
,
RIM Taiuk
(Dep. of Electrical Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang 790-784, KOR)
,
CHOI Seongwook
(School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
,
JEONG Yoon-ha
(Dep. of Creative IT Excellence Engineering and Future IT Innovation Lab. (i-Lab), Pohang Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
3
ページ:
034513-034513-5
発行年:
2012年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)