文献
J-GLOBAL ID:201202265193160299
整理番号:12A0728081
δドープ量子井戸を持つInGaAs/GaAsヘテロ構造の輸送特性
Transport properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with δ-doped quantum wells
著者 (6件):
BAIDUS N. V.
(Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
VAINBERG V. V.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR)
,
ZVONKOV B. N.
(Nizhni Novgorod State Univ., Physical-Technical Res. Inst., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
PYLYPCHUK A. S.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR)
,
POROSHIN V. N.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR)
,
SARBEY O. G.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03680, Kyiv, UKR)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
5
ページ:
631-636
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)