文献
J-GLOBAL ID:201202265374246420
整理番号:12A1115307
原子層堆積したAl2O3保護層を用いた薄い有機層/半導体界面の固有電気的性質の探針
Probing the intrinsic electrical properties of thin organic layers/semiconductor interfaces using an atomic-layer-deposited Al2O3 protective layer
著者 (5件):
PENG W.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
SEITZ O.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
CHAPMAN R. A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
,
VOGEL E. M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
CHABAL Y. J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas at Dallas, Richardson, Texas 75080, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
5
ページ:
051605-051605-5
発行年:
2012年07月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)