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文献
J-GLOBAL ID：201202266258193226
整理番号：12A0527496
薄BOXをもつ超薄SOI MOSFETにおけるバックゲートバイアスによる移動度強化
Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs With Thin BOX
OHATA A.
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
BAE Y.
(Uiduk Univ., Gyeongju, KOR)
,
FENOUILLET-BERANGER C.
(CEA-LETI-MINATEC, Grenoble, FRA)
,
FENOUILLET-BERANGER C.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CRISTOLOVEANU S.
(Grenoble INP-Minatec, Grenoble, FRA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 3 ページ： 348-350 発行年： 2012年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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