文献
J-GLOBAL ID:201202266342093466
整理番号:12A1116416
有機ローダミンB界面層を有するp-GaAs上でのAl Schottky接触の電気特性に関する障壁高さ増大および温度依存性
Barrier height enhancement and temperature dependence of the electrical characteristics of Al Schottky contacts on p-GaAs with organic Rhodamine B interfacial layer
著者 (2件):
SOYLU Murat
(Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Bingol Univ., Bingol, TUR)
,
YAKUPHANOGLU Fahrettin
(Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Firat Univ., Elazig, TUR)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
52
号:
3
ページ:
470-483
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)