文献
J-GLOBAL ID:201202266348850773
整理番号:12A0435906
AlGaN/GaNを基本とする金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタの性能の改善を目指した二モードゲート誘電体の堆積
Bimodal gate-dielectric deposition for improved performance of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
著者 (2件):
PANG Liang
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
,
KIM Kyekyoon Kevin
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
45
号:
4
ページ:
045105,1-6
発行年:
2012年02月01日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)