文献
J-GLOBAL ID:201202266380718950
整理番号:12A0809073
ナノスケール円筒状サラウンディングゲートMOSFETに及ぼす局在化電荷の影響:アナログ性能および直線性解析
Effect of localised charges on nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET: Analog performance and linearity analysis
著者 (4件):
GAUTAM Rajni
(Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...)
,
SAXENA Manoj
(Dep. of Electronics, Deen Dayal Upadhyaya Coll., Univ. of Delhi, Karampura, New Delhi 110 015, IND)
,
GUPTA R.s.
(Dep. of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Inst. of Technol., Sector 22, Rohini, New Delhi ...)
,
GUPTA Mridula
(Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
6
ページ:
989-994
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)