前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202266380718950
整理番号：12A0809073
ナノスケール円筒状サラウンディングゲートMOSFETに及ぼす局在化電荷の影響:アナログ性能および直線性解析
Effect of localised charges on nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET: Analog performance and linearity analysis
GAUTAM Rajni
(Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...)
,
SAXENA Manoj
(Dep. of Electronics, Deen Dayal Upadhyaya Coll., Univ. of Delhi, Karampura, New Delhi 110 015, IND)
,
GUPTA R.s.
(Dep. of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Inst. of Technol., Sector 22, Rohini, New Delhi ...)
,
GUPTA Mridula
(Semiconductor Device Res. Lab., Dep. of Electronic Sci., Univ. Of Delhi, South Campus, Benito Juarez Road, New Delhi ...)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 52 号： 6 ページ： 989-994 発行年： 2012年06月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。