文献
J-GLOBAL ID:201202266490452270
整理番号:12A1485756
非対称ゲート抵抗器電力MOSFET
Asymmetric Gate Resistor Power MOSFET
著者 (4件):
WANG Jun
(Texas Instruments Inc., PA, USA)
,
XU Shuming
(Texas Instruments Inc., PA, USA)
,
KOREC Jacek
(Texas Instruments Inc., PA, USA)
,
BAIOCCHI Frank
(Texas Instruments Inc., PA, USA)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
24th
ページ:
409-412
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)