文献
J-GLOBAL ID:201202266537834657
整理番号:12A0442375
注入SiO2:Si:C膜内の量子ドットルミネセンス励起のメカニズム
Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films
著者 (6件):
ZATSEPIN A F
(Ural Federal Univ., Ekaterinburg, RUS)
,
BUNTOV E A
(Ural Federal Univ., Ekaterinburg, RUS)
,
KORTOV V S
(Ural Federal Univ., Ekaterinburg, RUS)
,
TETELBAUM D I
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
MIKHAYLOV A N
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
,
BELOV A I
(Lobachevsky State Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
24
号:
4
ページ:
045301,1-10
発行年:
2012年02月01日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)