文献
J-GLOBAL ID:201202266617109392
整理番号:12A1337199
p-チャンネルを持つAs/Sbの混合したII型スタガードギャップ型トンネル電界効果トランジスタ構造の構造特性とバンドオフセットの決定
Structural properties and band offset determination of p-channel mixed As/Sb type-II staggered gap tunnel field-effect transistor structure
著者 (8件):
ZHU Y.
(Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
,
JAIN N.
(Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
,
MOHATA D. K.
(Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
,
DATTA S.
(Electrical Engineering, The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA)
,
LUBYSHEV D.
(IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
,
FASTENAU J. M.
(IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
,
LIU A. K.
(IQE Inc., Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
,
HUDAIT M. K.
(Bradley Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, Virginia 24061, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
11
ページ:
112106-112106-4
発行年:
2012年09月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)