文献
J-GLOBAL ID:201202266820505163
整理番号:12A1143558
0.11μm標準CMOSにおける分割及びビンニング画素構造による1920×1080 3.65μm-画素2D/3Dイメージセンサ
A 1920×1080 3.65-μm-Pixel 2D/3D Image Sensor with Split and Binning Pixel Structure in 0.11μm Standard CMOS
著者 (6件):
KIM Seong-Jin
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KANG Byongmin
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM James D. K.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
LEE Keechang
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Chang-Yeong
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
,
KIM Kinam
(Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
2012
ページ:
396-397,397A
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)