前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202266926774988
整理番号：12A1602423
n型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asの成長とキャラクタリゼーション
Growth and characterization of n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As
NAM HAI Pham
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
DUC ANH Le
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
MOHAN Shyam
(Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAMEGAI Tsuyoshi
(Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
KODZUKA Masaya
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
OHKUBO Tadakatsu
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
HONO Kazuhiro
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
TANAKA Masaaki
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 18 ページ： 182403-182403-5 発行年： 2012年10月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。