文献
J-GLOBAL ID:201202267002119491
整理番号:12A1763789
高移動度Ge基板上に成長した希土類酸化物のゲートスタック誘電劣化
Gate stack dielectric degradation of rare-earth oxides grown on high mobility Ge substrates
著者 (4件):
SHAHINUR RAHMAN Md.
(Detector Laboratory-GSI Helmholtzzentrum Schwierionenforschung, 64291 Darmstadt, DEU)
,
EVANGELOU E. K.
(Lab. of Electronics-Telecoms & Applications, Dep. of Physics, Univ. of Ioannina, 45110 Ioannina, GRC)
,
KONOFAOS N.
(Dep. of Informatics, Aristotle Univ. of Thessaloniki, GRC)
,
DIMOULAS A.
(MBE Lab., Inst. of Materials Sciences, Demokritos, 15310 Athens, GRC)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
9
ページ:
094501-094501-7
発行年:
2012年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)