文献
J-GLOBAL ID:201202267166937420
整理番号:12A1754289
(NH4)2Sを用いたGeゲートスタックのS不動態化
S-passivation of the Ge gate stack using (NH4)2S
著者 (11件):
SIONCKE Sonja
(imec, Leuven, BEL)
,
FLEISCHMANN Claudia
(K. U. Leuven, Leuven, BEL)
,
LIN Dennis
(imec, Leuven, BEL)
,
VRANCKEN Evi
(imec, Leuven, BEL)
,
CAYMAX Matty
(imec, Leuven, BEL)
,
MEURIS Marc
(imec, Leuven, BEL)
,
TEMST Kristiaan
(K. U. Leuven, Leuven, BEL)
,
VANTOMME Andre
(K. U. Leuven, Leuven, BEL)
,
MUELLER Matthias
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin, DEU)
,
KOLBE Michael
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin, DEU)
,
BECKHOFF Burkhard
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin, DEU)
資料名:
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻:
187
ページ:
23-26
発行年:
2012年
JST資料番号:
T0583A
ISSN:
1012-0394
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)