文献
J-GLOBAL ID:201202267202947801
整理番号:12A0345025
グラフェントランジスタ低周波雑音の特性化とモデリング
Characterization and Modeling of Graphene Transistor Low-Frequency Noise
著者 (8件):
GRANDCHAMP B.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
,
FREGONESE S.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
,
MAJEK C.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
,
HAINAUT C.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
,
MANEUX C.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
,
MENG N.
(Lab. Integration du Materiau au Systeme (IMS), CNRS, Talence, FRA)
,
HAPPY H.
(Lab. Integration du Materiau au Systeme (IMS), CNRS, Talence, FRA)
,
ZIMMER T.
(Univ. Bordeaux, Talence, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
2
ページ:
516-519
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)