文献
J-GLOBAL ID:201202267265402716
整理番号:12A1115668
GaInNAsへの窒素導入の研究:分子線エピタクシーにおける成長温度の役割
Study of nitrogen incorporation into GaInNAs: The role of growth temperature in molecular beam epitaxy
著者 (7件):
KORPIJAERVI V.-m.
(Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
,
AHO A.
(Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
,
LAUKKANEN P.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Turku, Turku 20014, FIN)
,
TUKIAINEN A.
(Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
,
LAAKSO A.
(Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
,
TUOMINEN M.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Turku, Turku 20014, FIN)
,
GUINA M.
(Optoelectronics Res. Centre (ORC), Tampere Univ. of Technol., Tampere 33720, FIN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
2
ページ:
023504-023504-5
発行年:
2012年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)