文献
J-GLOBAL ID:201202267277001172
整理番号:12A1203686
ピエゾ電気光熱信号の温度依存性により研究したGaAsN膜における窒素関連深準位
Nitrogen Related Deep Levels in GaAsN Films Investigated by a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal
著者 (7件):
KASHIMA Koshiro
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
FUKUYAMA Atsuhiko
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
NAKANO Yosuke
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
INAGAKI Makoto
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
SUZUKI Hidetoshi
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
,
YAMAGUCHI Masafumi
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
IKARI Tetsuo
(Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
725
ページ:
93-96
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)