文献
J-GLOBAL ID:201202267357459897
整理番号:12A0871349
高性能InAsナノワイヤMOSFET
High-Performance InAs Nanowire MOSFETs
著者 (8件):
DEY Anil W.
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
THELANDER Claes
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
LIND Erik
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
DICK Kimberly A.
(Div. Polymer and Materials Chemistry, Lund, SWE)
,
BORG B.Mattias
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
BORGSTROEM Magnus
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
NILSSON Peter
(Lund Univ., Lund, SWE)
,
WERNERSSON Lars-Erik
(Lund Univ., Lund, SWE)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
6
ページ:
791-793
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)