文献
J-GLOBAL ID:201202267496279348
整理番号:12A0248176
Ge(110)基板上にSnの取り込みによって成長させたエピタキシャルGeの結晶性改善
Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn
著者 (5件):
SHIMURA Yosuke
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHIMURA Yosuke
(Res. Fellow of the Japan Society for the Promotion of Sci., Saitama, JPN)
,
ASANO Takanori
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
1
ページ:
015501.1-015501.3
発行年:
2012年01月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)