文献
J-GLOBAL ID:201202267538963724
整理番号:12A1006074
SiC MOSFETにおける酸化物トラップ帯電および放電の2方向トンネル効果模型
Two-way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs
著者 (4件):
LELIS A.
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
HABERSAT D.
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
GREEN R.
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
GOLDSMAN N.
(Univ. Maryland, MD, USA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
465-468
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)