文献
J-GLOBAL ID:201202267748707488
整理番号:12A0531426
局所電荷トラッピング不揮発性メモリデバイスにおけるしきい値電圧変動
Threshold Voltage Fluctuations in Localized Charge-Trapping Nonvolatile Memory Devices
著者 (2件):
JANAI Meir
(Spansion Israel Ltd., Netanya, ISR)
,
LEE Meng Chuan
(Spansion Penang, Penang, MYS)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
3
ページ:
596-601
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)