文献
J-GLOBAL ID:201202267862810477
整理番号:12A1032431
AlxGa1-xAs合金の電子構造の温度と静水圧の依存性
Temperature and hydrostatic pressure dependence of the electronic structure of Al x Ga1-x As alloys
著者 (2件):
DEGHEIDY Abdel Razik
(Dep. of Physics, Fac. of Sci., Mansoura Univ., PO Box 35516, Mansoura, Egypt)
,
ELKENANY Elkenany Brens
(Dep. of Physics, Fac. of Sci., Mansoura Univ., PO Box 35516, Mansoura, Egypt)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
15
号:
5
ページ:
505-515
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)