文献
J-GLOBAL ID:201202267878244218
整理番号:12A1123706
反応性マグネトロンスパッタリングにより調製したAlNxOy薄膜の電気特性
Electrical properties of AlNxOy thin films prepared by reactive magnetron sputtering
著者 (9件):
BORGES J.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
,
MARTIN N.
(Inst. FEMTO-ST, Dep. MN2S, UMR 6174 (CNRS, UFC, ENSMM, UTBM) 32, Avenue de l’Observatoire 25044 BESANCON Cedex, FRA)
,
BARRADAS N.p.
(Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT)
,
ALVES E.
(Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT)
,
EYIDI D.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
BEAUFORT M.f.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
RIVIERE J.p.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
VAZ F.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
,
MARQUES L.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
520
号:
21
ページ:
6709-6717
発行年:
2012年08月31日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)