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文献
J-GLOBAL ID：201202267878244218
整理番号：12A1123706
反応性マグネトロンスパッタリングにより調製したAlNxOy薄膜の電気特性
Electrical properties of AlNxOy thin films prepared by reactive magnetron sputtering
BORGES J.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
,
MARTIN N.
(Inst. FEMTO-ST, Dep. MN2S, UMR 6174 (CNRS, UFC, ENSMM, UTBM) 32, Avenue de l’Observatoire 25044 BESANCON Cedex, FRA)
,
BARRADAS N.p.
(Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT)
,
ALVES E.
(Instituto Superior Tecnico, Instituto Tecnologico Nuclear, E.N. 10, 2686-953 Sacavem, PRT)
,
EYIDI D.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
BEAUFORT M.f.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
RIVIERE J.p.
(Inst. PPRIME, UPR 3346 CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, Dep. de Physique et Mecanique des Materiaux, BP 30179 ...)
,
VAZ F.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
,
MARQUES L.
(Centro de Fisica, Universidade do Minho, 4710-057 Braga, PRT)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 520 号： 21 ページ： 6709-6717 発行年： 2012年08月31日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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