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文献
J-GLOBAL ID：201202267881638090
整理番号：12A1237700
p-Si結晶表面の品質とBi-Si-Al表面障壁構造の特性における放射線誘起変化
Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures
PAVLYK B. V.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
SLOBODZYAN D. P.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
HRYPA A. S.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
LYS R. M.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
KUSHLYK M. O.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
SHYKORYAK J. A.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
DIDYK R. I.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 46 号： 8 ページ： 993-997 発行年： 2012年08月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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