文献
J-GLOBAL ID:201202267881638090
整理番号:12A1237700
p-Si結晶表面の品質とBi-Si-Al表面障壁構造の特性における放射線誘起変化
Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures
著者 (7件):
PAVLYK B. V.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
SLOBODZYAN D. P.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
HRYPA A. S.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
LYS R. M.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
KUSHLYK M. O.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
SHYKORYAK J. A.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
,
DIDYK R. I.
(Ivan Franko Lviv National Univ., 79000, Lviv, UKR)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
8
ページ:
993-997
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)