文献
J-GLOBAL ID:201202268049112106
整理番号:12A1258080
非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすアニーリング雰囲気の影響
Effect of the Annealing Ambient on the Electrical Characteristics of the Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors
著者 (5件):
HUANG Yu-Chih
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG Po-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Hau-Yuan
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Shui-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHENG Huang-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
12
号:
7
ページ:
5625-5630
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)