文献
J-GLOBAL ID:201202268143767914
整理番号:12A1053124
ポリシリコン フローティングゲートトランジスタに関する低温単一ショット分光法
Cryogenic single-shot spectroscopy of a floating poly-silicon gate transistor
著者 (3件):
TENORIO-PEARL J. O.
(Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR)
,
MILNE W. I.
(Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR)
,
HASKO D. G.
(Electrical Engineering Div., Dep. of Engineering, Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
1
ページ:
014510-014510-5
発行年:
2012年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)