文献
J-GLOBAL ID:201202268339596220
整理番号:12A1776523
MOSデバイスの閾値電圧変動性に対する仕事関数変動性の影響の理論と実験
Theory and Experiments of the Impact of Work-Function Variability on Threshold Voltage Variability in MOS Devices
著者 (10件):
ZHANG Xiao
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
,
MITARD Jerome
(IMEC, Leuven, BEL)
,
RAGNARSSON Lars-Ake
(IMEC, Leuven, BEL)
,
HOFFMANN Tomas
(IMEC, Leuven, BEL)
,
DEAL Michael
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
,
GRUBBS Melody E.
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
,
LI Jing
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
MAGYARI-KOPE Blanka
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
,
CLEMENS Bruce M.
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
,
NISHI Yoshio
(Leland Stanford Junior Univ., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
11
ページ:
3124-3126
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)