文献
J-GLOBAL ID:201202268491133953
整理番号:12A1603090
歳差電子回折と自動回折トモグラフィーによる硬質材料の構造特性化: 6H-SiC半導体とNi1+xTe1埋込みナノ領域
Structure characterization of hard materials by precession electron diffraction and automatic diffraction tomography: 6H-SiC semiconductor and Ni1+xTe1 embedded nanodomains
著者 (7件):
SARAKINOU E
(Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
MUGNAIOLI E
(Johannes Gutenberg Univ., Mainz, DEU)
,
LIOUTAS Ch B
(Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
VOUROUTZIS N
(Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
FRANGIS N
(Aristotle Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
KOLB U
(Johannes Gutenberg Univ., Mainz, DEU)
,
NIKOLOPOULOS S
(NanoMEGAS SPRL, Brussels, BEL)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
10
ページ:
105003,1-7
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)