文献
J-GLOBAL ID:201202268538524301
整理番号:12A1254045
マイクロ線量測定シミュレーションのためのGeant4物理過程: シリコンの中の陽子と重イオンについての非常に低いエネルギーの電磁モデル
Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for protons and heavy ions in silicon
著者 (4件):
VALENTIN A.
,
RAINE M.
,
GAILLARDIN M.
,
PAILLET P.
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
287
ページ:
124-129
発行年:
2012年09月15日
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)